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东微半导体成立于2008年，注册资本9432.6914万元，是一家技术驱动型的半导体技术公司，在作为半导体核心技术的器件领域有深厚的技术积累，专注半导体器件技术创新，拥有多项半导体器件核心专利。 2013年下半年，东微半导体原创的半浮栅器件的技术论文在美国《科学》期刊上发表，引起了国内外业界的高度关注。2016年东微半导体自主研发的新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片成功量产，打破国外厂商垄断。目前，东微半导体已成为国内高性能功率半导体领域的佼佼者，在新能源领域替代进口半导体产品迈出了坚实一步，产品进入多个国际一线客户，并受到了客户的一致好评。
2016东微半导体的新能源汽车充电桩用核心功率器件芯片成功量产，并进入到充电桩核心芯片市场，被人民日报等主流媒体普遍报道。
2014东微半导体开始量产国产化超级结系列高压大功率MOSFET，成为国内工业级大功率系列高压MOSFET的供应商。
Generic通用系列
Generic系列产品包含500V~900V全系列，具有低导通电阻、低栅极电荷、静态和动态损耗低的特点，可广泛应用于各种高性能功率转换领域。
S系列(EMI优化) S系列产品在Generic系列产品的基础上优化了开关速度，以较低的开关速度达到更好的EMI兼容性，特别适用于小功率电源系统如LED照明、充电器、适配器等领域。
E系列(EMI平衡) E系列产品综合了Generic系列产品和S系列产品的特性，达到了开关速度和EMI的平衡，特别适用于TV电源、工业电源等领域。
Z系列(快恢复) Z系列产品中集成了快恢复体二极管（FRD），具有快速的反向恢复速度，开关损耗极低并具有很高的可靠性，特别适用于各种半桥、全桥拓扑电路、马达驱动、充电桩等领域。
超级硅系列(SuperSi) SuperSi系列产品特别优化了开关速度，具有极低的品质因数（FOM），同时具有比肩氮化镓功率MOSFET的开关速度，特别适用于高密度电源系统，如PD充电器、模块转换器、大屏幕电视、显示器等领域。
中低压SGTMOS系列
东微的SFGMOS系列MOSFET产品采用半浮栅结构，兼备了传统平面结构和SGT结构的功率MOSFET的优点，并具有更高的工艺稳定性和可靠性及更快的开关速度、更小的栅电荷和更高的应用效率等优点。SFGMOS系列MOSFET产品涵盖20V~200V全系列，可广泛应用于电机驱动、同步整流等领域中。
IGBT
东微的IGBT芯片采用特有的Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBT)器件结构，以得到更低的导通压降与更小的开关损耗。目前公司已先后推出第一代及第二代TGBT多个系列产品，涵盖600V~1350V电压，适合应用于光伏储能逆变、直流充电桩、汽车主驱、UPS等领域。公司亦开发出超高速系列（E系列）TGBT，工作频率达到60-100KHz，可以在满足电源系统进一步高频化的同时，实现更高的效率。
SiC MOSFET
第三代半导体材料功率器件是未来高性能功率器件的重要组成部分之一。东微研发团队在宽禁带半导体研究上有丰富的经验，研发了SiC MOSFET。
SiC MOSFET具有高功率密度、低反向恢复电荷、高开关频率的特性，工作温度高达200°C，可以完美替代Si IGBT在高压大功率领域的应用。
Hybrid-FET
Hybrid-FET器件采用全新的器件结构和电流动态调整技术，结合了导通电流密度高与开关速度快的特点，可实现高速关断和大电流处理能力，具有更加宽广的安全工作区域和更高的产品稳定性。
