SiC devices
东微半导体的研发团队在宽带隙半导体的研究方面拥有丰富的经验,先后开发了并联SiC的IGBT和宽带隙FET。并联SiC二极管的高速IGBT大大提高了Eon、Trr、Qrr和Qg的特性,适用于需要高效率的系统。它支持80-100kHz高速开关和图腾柱无桥PFC应用。
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特征
指示
应用范围
电源设备
消防报警
家用电器
汽车电子
产品规格

封装

TO247

TO247-4L
TO247-plus
TO263
TO263-7L
TO247-4L-NL
TOLL
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